用来于封装配的晶圆程系统
用来于封装配的晶圆程系统
SPTS为先进封装方案提供了一系列等离子刻蚀和沉积工艺技术，从高密度扇出型晶圆级封装（FOWLP）到最先进的3D封装，其中两个或多个芯片（可能用于不同的功能）以以方向通过过通话（TSV）技术堆叠和连接，并以金属填充。利用数码年来在当方的专业的专业中，SPTS还为之高达300毫米的晶圆晶圆最先进的等等子切割解决方案，用来研磨前切割（dbg）或或后切割（DAG）.spts批量产物的工厂和精密的工厂控制使芯片能够生产成本，提高产品，性能和多功能功能成。
欧米茄®等等子刻蚀
应用于硅材质的等离子刻蚀系统
spts omega.®等等子蚀刻系统包括摇摇欲舞™等一道应先进套装的高速硅蚀刻工艺.RAPIER™蚀刻胸体可用在传球仪或式2.5D / 3D-IC封装员中，刻蚀刻蚀垂直或锥形，高深宽比的通讯或沟槽，以及x从晶圆背面通道平衡揭露式蚀刻使孔中间填充铜柱露出.Rapier™XE工艺繁体综合了均匀性和蚀刻速率可爱的工厂官方，其其用于平衡硅刻蚀的刻蚀速率通讯比同系统快快快2-4倍。通行加入蚀刻停止层同样减薄至5μm甚至0.5μm。户外，spts还为TSV蚀刻，平面揭露式蚀刻及极端减薄蚀刻提供了独特的，受专利保护的蚀刻终点检测方案，实现了大规模量产中的最佳产出和良率。
马赛克™ 等离子切割
等等子切割系统
SPTS MOSAIC™等等子切割系统提供械械械或或光切割技术的替代案，用来从（直径高至300毫米，固定于框架上）中分离出晶粒种方向提供了。，干法化学刻蚀的工艺，可增加晶粒强度和避免颗粒污染。当晶圆较薄或含有易碎的低K薄膜时，以及对于晶粒与晶圆键合的结构而言，这些优点尤其重要。作为一种并行工艺，等离子切割在切割小晶粒和/或薄晶圆时具有显着的产量，良率和成本优势。更窄的切割道允许每片晶圆有更多的晶粒，并且没有对晶粒的限制，可致优化晶圆设计布。
Sigma.®PVD.
使用于金属沉积的物理气相沉积系统
标准贯入试验西格玛®PVD系统用力在硅晶圆或模塑式晶圆上五金，铝，钛，钛钨和铜金属。先进套装技术中间使用的有机化和新的基础材料对凸块下金属化（UBM）和更新布线（RDL）工艺提出提出提出技术挑战。石头®聚乙烯醇系统采用新颖的脱气和预清洗技术，提供持续较低的钢筋混凝土值，同时与其他聚乙烯醇系统相比具有2.倍的生产量优势。在2.5天和三维集成电路应用中，标准贯入试验的高级高填充®电气PVD源可在高深宽比的TSV中提供一般的铜阻挡层/种子层填覆填覆力。
Delta™PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
对于对于套装应用，SPTS Delta™PECVD系统提供提供低温沉积工合书，可与300mm含有基础和仪表兼容.delta™pecvd可在低至110°C的沉积沉积下生产高度，合格的sio和SIN薄薄.sin-sio薄膜叠层可在同一pecvd繁体中沉积，并icksithocthe的稳定性和随叠层力可以在很宽的范围内，优优的腔体内使晶圆片内内应低于竞争对手的pecvd系统。如有需要，可提供单位和多重圆除选项，对基因除气并改善膜。，TEOS-SIO和其他先进的介电脑薄膜可用于于熔融合用。