用于先进包装的晶圆处理系统
用于先进包装的晶圆处理系统
SPTS为先进的封装方案提供一系列等离子蚀刻和沉积工艺技术-从高密度扇出晶圆级封装(FOWLP)到最先进的3D封装,其中两个或多个模具,可能用于不同的功能,通过填充金属的硅透孔(TSV)在垂直方向堆叠连接。凭借在硅蚀刻领域数十年的专业知识,SPTS还提供最先进的等离子体切割解决方案,可用于直径达300mm的晶圆研磨前切割(DBG)或研磨后切割(DAG)。SPTS经过生产验证的工艺和精确的工艺控制允许芯片制造商降低生产成本,提高可靠性、性能和多功能集成。
欧米茄®等离子体刻蚀
硅的等离子体蚀刻系统
sptω®等离子体蚀刻系统包括用于在高级包装应用中的高速率硅蚀刻的过程模块的Rapier™系列。Rapier™蚀刻模块用于通过硅晶片或插槽产生垂直或锥形,高纵横比,通过硅晶片或插入器,用于2.5D / 3D-IC封装应用,并通过揭示蚀刻来覆盖毯子以使CU填充的通孔从背面曝光晶圆。Rapier™XE Process模块将配方可调均匀性与蚀刻速率相结合,该蚀刻速率通常比毯式硅蚀刻的竞争系统快2-4倍。通过掺入蚀刻停止层,相同的过程可用于低至5μm或甚至0.5μm的极端晶片。SPTS还为TSV蚀刻提供独特的专利保护的终点解决方案,通过透露和极端稀释过程,使得能够最佳产量和高批量生产的产量。
σ®PVD.
金属沉积物理气相沉积系统
spts sigma.®PVD系统用于将金属沉积在Si或模具晶片上的Au,Al,Ti,TiW和Cu等金属。采用有机钝化和用于先进包装技术的新型基板材料对凸块金属化(UBM)和再分配层(RDL)提供技术挑战。使用小说的Degas和Pre-Clean技术,Sigma®PVD系统产生的Rc值始终较低,同时提供了比其他PVD系统2倍的吞吐量优势。在2.5D和3d ic应用中,SPTS的高级高填充®电离PVD源在高纵横比tsv中提供世界级的铜屏障/种子覆盖。
δ™PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
对于高级封装应用,SPTS Delta™PECVD系统提供与300mm粘合基材和模具兼容的低温沉积工艺。Delta™PECVD在低至110°C的沉积温度下生产高质量的、合格的SiO和SiN薄膜。si - SiO堆栈可以在相同的PECVD腔内沉积,具有高可靠性的电气性能和长时间的稳定性。薄膜和堆栈应力可以在大范围内进行调节,优化的腔室硬件使PECVD系统的晶片应力范围达到最低。在需要时,可选择单晶片和多晶片脱气,以加热出气基片和提高沉积膜质量。优化的SiO, TEOS SiO和其他先进的介质膜可用于熔合应用。