原位流程管理

原位流程管理

KLA的SensArray综合投资组合®金博宝188亚洲体育app产品允许原位监控过程工具的环境。通过有线和无线传感器晶片和晶片,自动化封装和数据分析系统,SensArray产品提供了各种晶圆和掩模版工艺的全面信息。金博宝188亚洲体育app晶圆加工设备制造商,IC制造商和掩盖制造商使用SensArray数据可视化,诊断和控制过程条件。

类别

etchtemp系列

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etchtemp系列

原位等离子体腐蚀晶圆温度测量系统

ITCHTEMP系列原位晶片温度测量系统捕获了等离子体蚀刻工艺环境对生产晶片的影响。蚀刻-HD测量系统包括高传感器密度,使跨晶片温度监测能够与导体蚀刻应用的CD均匀控制强烈相关。通过表征紧密代表产品晶片条件的热条件,Ichtemp-HD无线晶片有助于调整蚀刻工艺条件的工艺工程师,以及线等离子体蚀刻室的前端的验证,匹配和PM后验证。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具监控,工艺工具确认,工艺箱匹配,工艺工具匹配

介质等离子体腐蚀(EtchTemp),导体等离子体腐蚀(EtchTemp- hd, EtchTemp SE-HD, EtchTemp- se),离子植入| 20-140°C
相关产品金博宝188亚洲体育app

etchtemp se-hd:实际过程条件下高分辨率的时间和空间温度数据,用于表征大功率,高频硅蚀刻晶片工艺。

etchtemp-se:在实际过程条件下的时间和空间温度数据,用于表征大功率,高频硅蚀刻晶片工艺。

EtchTemp:实际过程条件下的时间和空间温度数据,用于表征大功率,高频介电蚀刻晶片工艺。

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SensArray®自动化

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SensArray®自动化

在现场温度测量自动化包

Sensarray.®自动化包提供快速自动化的过程工具室温度测量。该软件包包括架空轨道(OHT)兼容FOUP,自动化站,系统自动化控制器和Office PC软件座椅组件。SenarArray FOUP可以与任何生产FOU的方式处理相同的方式,直接数据移植到SPC图表。SensArray Automation提供生产力增强功能,从过程工具可用性,更有效地利用工厂的MES数据库中的工程资源和集中数据存储。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具监控,工艺工具确认,工艺箱匹配,工艺工具匹配
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hightemp - 400

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hightemp - 400

原位胶片沉积晶片温度测量系统

HighTemp-400现场晶圆温度测量系统旨在优化和监控先进的薄膜工艺(FEOL和BEOL ALD, CVD和PVD)和其他高温工艺。HighTemp-400无线晶圆测量工艺工具的热均匀性,提供在真实生产工艺条件下收集的时间和空间温度数据。通过揭示影响工艺窗口和图形化性能的热变化,HighTemp-400帮助集成电路制造商集成新材料、晶体管技术和复杂的图形化技术。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具监控,工艺工具确认,工艺工具匹配

薄膜沉积|20-400°C.
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紫外线晶圆

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紫外线晶圆

原位沉积和退火紫外光测量系统

UV Wafer in situ ultraviolet (UV) light measurement系统利用无线传感器晶圆技术在薄膜沉积工艺工具中测量晶圆表面的紫外光剂量和强度。UV Wafer提供了用于退火或固化FCVD(流动)氧化物和低k介电膜的UV灯照射到晶圆表面的光强度的时间和空间信息,从而实现了以前无法实现的工艺优化和监控。紫外晶片还可以识别灯龄引起的漂移或灯强度的其他变化,这些变化导致薄膜性能不均匀。通过突出UV灯子系统中的光学系统问题,UV Wafer帮助工程师推动工艺工具的改进,从而获得最佳的固化工艺。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具确认,工艺工具监控,工艺工具匹配

薄膜沉积,UV固化,UV退火
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Masktemp™2

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Masktemp™2

原位掩芯温度测量系统

掩模车间使用MaskTemp™2原位标线温度测量系统,对电子束刻录机和高温标线工艺步骤进行鉴定和监控。MaskTemp 2在电子束掩模编写者的资格认证中起着关键作用,因为要完全编写掩模,需要在长达24小时的时间内保持极端的温度稳定性。在电子束掩模写入器内部,MaskTemp 2连续24小时收集温度数据,为掩模制造商在写入关键掩模之前提供需要的数据,以确保系统的热稳定性。Mask Temp 2还支持曝光后烘焙表征、热板温度均匀性监测、热板匹配和其他高温工艺应用,帮助掩模制造商识别和减少影响最终线形质量的后写工艺热变化。

应用程序
电子束掩模机鉴定,工艺开发,工艺控制,工艺鉴定,工艺监控,工艺工具鉴定,工艺工具匹配

电子束掩模写入| 20-40°C
曝光后烘烤|20-140°C.
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ScannerTemp

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ScannerTemp

原位扫描晶圆温度测量系统

ScannerTemp原位晶圆温度测量系统支持监测干式、浸没式和极紫外光刻扫描仪。ScannerTemp无线晶圆可以产生高精度的时间和空间晶圆温度数据,可以帮助光刻工程师描述和监控影响图案覆盖性能的扫描仪热变化。ScannerTemp采用扁平的标准厚度晶圆格式,可用于监测光刻热均匀性和稳定性,具有高精度和低噪音,使扫描仪合格和匹配。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具监控,工艺工具确认,工艺工具匹配

光刻扫描仪| 20-24°C
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集成晶片™

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集成晶片™

原位光刻晶圆温度测量系统

INTECTION晶圆™的原位晶片温度测量系统可收集监测和维护光刻工艺的关键热数据。通过无线,低轮廓设计,集成晶片可以与几乎所有光刻工艺设备一起使用,为关键生产过程提供高精度静态和动态温度测量。集成晶片有助于光刻工程师表征热剂量均匀性和分析热循环的段,包括运输,加热,冷却和稳态操作。集成晶片支持诸如高级光刻工艺中的关键热板加热区元件的测量和监测的应用(例如,跟踪暴露后烘烤站)。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具监控,工艺工具确认,工艺工具匹配

光刻轨道后暴露烘烤|15-145°C.
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WetTemp-LP

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WetTemp-LP

原位湿法加工晶片温度测量系统

WetTemp-LP现场晶圆温度测量系统支持对湿清洁和其他湿过程的监控。WetTemp-LP监控晶片与标准产品晶片厚度相同,确保与大多数单晶片和批量湿清洗工艺系统的兼容性。通过集成多个温度传感器,WetTemp-LP提供了丰富的空间温度数据,帮助工程师鉴定新的湿式清洁工具,优化湿式清洁过程,推动湿式清洁系统性能的提高。

应用程序
工艺开发,工艺确认,工艺工具监控,工艺工具确认,工艺工具匹配

湿蚀刻,湿清洁|15-140°C.
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过程调查™1530/1535

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过程调查™1530/1535

原位晶圆温度监测系统

Process Probe™1530和1535仪表晶圆用于监测各种过程的原位温度,包括冷壁,RTP,溅射,CVD,等离子体剥离器和外延反应器。过程探针1530和1535在处理循环的每个关键步骤期间提供直接,实时测量晶片温度。通过这种综合温度数据,工艺工程师可以表征和微调过程条件,推动改进的过程设备性能,晶圆质量和产量。

应用程序
流程开发,流程资格,过程工具资格,过程工具匹配

冷壁薄膜工艺室(1530),热壁薄膜工艺室(1535)| 0-1100°C
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过程探测™1630

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过程探测™1630

原位晶圆温度监测系统

Process Probe™1630仪表晶圆可以精确地原位表征前端大气和皮带CVD系统和后端晶片焊料撞回回流烘箱的晶片温度曲线。利用过程探针1630,工艺工程师可以确定边缘到中心温度型材以调整加热区设定点,并测量沉积温度的漂移,以调节从加热器和皮带上的氧化物积聚的传热变化。

应用程序
流程开发,流程资格,过程工具资格,过程工具匹配

薄膜APCVD,焊料凸块回流烤箱|0-800°C.
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过程探测™1730

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过程探测™1730

原位晶圆温度监测系统

Process Probe™1730仪器化晶圆可以在光刻胶跟踪系统、温度控制晶圆卡盘系统、烘箱应用、以及电阻烘烤、聚酰亚胺和SOG应用中对晶圆温度剖面进行精确的原位表征。Process Probe 1730帮助工程师描述和微调工艺条件,以提高工艺设备性能,获得更高的成品率。

应用程序
流程开发,流程资格,过程工具资格,过程工具匹配

光刻轨道系统,温度控制晶圆卡盘系统和烤箱|-150-300°C.
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过程调查™1840/1850

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过程调查™1840/1850

原位晶圆温度监测系统

工艺探针™1840和1850仪器化晶圆提供高精度,实时热板温度测量,支持工艺,如光刻胶跟踪系统和晶圆探针。过程探头1840和1850允许直接测量晶圆温度稳定性和均匀性,而不依赖不精确的过程监视器或接触温度传感器。利用工艺探头1840和1850,光刻工程师可以表征和微调光刻胶烘烤温度的均匀性,确保先进的光刻工艺满足实现高产量所需的温度精度。

应用程序
流程开发,流程资格,过程工具资格,过程工具匹配

光刻轨道曝光后烘烤,旋转抗反射涂层,后端探针|0-250°C(1840),0-350°C(1850)
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plasmasuite.

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plasmasuite.

等离子体数据分析系统

PlasmaView
Plasmaview过程分析查看系统提供了一种直观的接口,用于观看详细的等离子体蚀刻工艺分析。使用从etchtemp和etchtemp-se收集的数据。Plasmaview显示等离子体过程数据与时间和空间(2D或3D)。Movie View允许流程工程师可视化关键瞬态响应,可用于故障调查。


Plasmacontrol.
Plasmacontrol分析发动机有助于监控和控制日常运营和室内套间匹配。它将复杂的等离子体蚀刻过程蒸馏出到几个关键组件上,并将其与控制规范进行比较,为每个运行提供简单的“Go”或“No Go”结果。Plasmacontrol提供能够查看趋势,检测和调查偏移的工程师,并比较等离子体蚀刻工艺室。

应用程序
流程开发,流程资格,过程工具资格,过程工具匹配

光刻轨道曝光后烘烤,旋转抗反射涂层,后端探针|0-250°C(1840),0-350°C(1850)
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Lithosuite.

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Lithosuite.

光刻数据分析系统

LithoView
LithoView过程分析用户界面提供了标准化的数据查看能力,包括数据的2D和3D时间视图。LithoView为工程师提供完整的任务控制能力,如完整的SensorWafer™通信、任务操作和数据下载。LithoView还包括一个数据库和浏览器,用于完全跟踪数据历史。


Autocal TrackTune应用程序
Autocal TrackTune Advanced软件应用程序用于校准和优化高级轨道热插拔。该应用程序利用与SensArray收集的数据的准确性®集成晶片捕捉光刻胶加工区域的温度分布。通过结合详细的热剖面数据和OEM板专用热建模引擎,它生成优化的热板控制系统输入参数设置。这些优化设置显著改善板内均匀性和同步板间的热剖面。

应用程序
过程数据分析
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热映射®

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热映射®

无线数据采集和数据分析

热映射®数据采集​​和分析系统支持原位晶片温度测量。热图系统将无线ISIS 5(智能传感器接口系统)数据采集单元与强大的图形软件相结合,以便可视化和分析由任何SensArray收集的数据®检测晶片。这一精密的晶片温度数据采集和分析系统为瞬态和稳态测量提供了卓越的精度、精度和分辨率。通过提供温度上升、稳态和下降的简洁、信息丰富的图形表示,Thermal MAP使用以下工具支持快速工艺优化:

  • 轮廓和表面图以帮助与膜厚度和电阻率图相关的相关性
  • 在过程中快速查看温度曲线的动画
  • 运行运行和运行内分析

应用程序
过程数据分析
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热轨5

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热轨5

手持式无线数据采集

热轨道5数据采集系统支持从有线传感器阵列进行现场晶圆温度测量®过程探测器检测晶片产品。金博宝188亚洲体育appThermal TRACK 5系统将无线ISIS 5(智能传感器接口系统)数据采集单元与手持个人数字助理相结合,用于实时可视化和记录温度分布特征的数据。通过提供晶圆在升温、稳定和冷却期间的温度信息图形表示,Thermal TRACK 5为管理大多数工艺提供了一种快速和经济有效的方法。该便携式系统为瞬态和稳态测量提供了高精度、精度和分辨率,为工厂工程师校准和检查温度设定值和运行预定义的预防性维护检查提供了关键数据。

应用程序
过程工具监控
连接实用程序软件下载链接
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