첨단패키징을위한웨이퍼공정공정
첨단패키징을위한웨이퍼공정공정
SPTS는고밀도팬아웃이퍼레벨레벨（fowlp）과과이채워진금속금속전극（tsv）를사용하여수직방향두개이상개개상를를를를연결하는가장된3d패키지까지여러가지첨단패키징공정위한다양다양한플라즈마식각및증착공정기술을제공합니다。또한spts는실리콘식각분야에서오랫동안된전문성을활용최대최대최대웨웨웨웨의의dbg（在研磨前）또는dag（研磨后）공정을위한가장진보된플라스마할（切割）솔루션솔루션제공제공제공제공제공제공제공제공제공반도체칩제조업체는spts의의양산에입증된된공정과한공정관리를를통해생산생산을시키고시키고신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고기능시키고시키고시키고시키고한한
ω®플라즈마식각
실리콘플라즈마식각시스템
sptω®어플리케식각시스템은패키징패키징이션에서에서요구되는초고속의식각속도를자랑자랑자랑하고의식각속도를를자랑포함하고하고이모듈은주로수직형태（垂直），점점가늘어지는지는（锥形），높은높은형태（高纵横比）의의홀，실리콘실리콘이퍼를관통하는형성웨다양사용이됩니다。특히2.5D또는3D IC패키징을위한인터포저형성위하여웨웨웨으로부터실리콘내부웨웨웨내부내부내부내부노출노출전면식각（通过透露）에서에서사용됩니다。그리고상위버전摇摇欲舞™XE모듈은모듈은식각에서일반으로으로사대비2-4배더빠른식각속도하며레시피를이용하여하여용퍼퍼퍼를를조절조절수수수수수또한，이러한전면식각방식을이용하면5μm심지어0.5μm두께까지극도로얇은실리콘이퍼를를형성시킬수수그리고특허보호를받는spts고유고유엔드포인트（epd）솔루션솔루션이용을용홀형성형성형성（tsv），전면식각（通过透明），극도로얇은실리콘형성（极细化）의양산공정에서최적의과높은높은을관리할수있습니다。
Mosaic™플라즈마절단
플라즈마절단시스템
SPTS의MOSAIC™플라즈마플라즈마이싱의은실리콘실리콘이퍼로부터로부터이들을을（최대최대프레임300 mm웨이퍼）기존기존물리적인방법（机械锯）과과이저기술을이용한한이싱공법의대안대안。플라즈마다이싱은건식식각방식을이용하여데미지가낮은낮은이，높은다이강도강도형성，입자오염을방지도움이됩니다。이러한장점들은특히데미지에에에웨이퍼，低k박막이포함된웨이퍼그리고그리고이투웨이퍼본딩（钻孔栏杆）를가공할때더기여할수있습니다있습니다수수수수수또한，병렬공정이기에초소형이가공에서에서높은생산，얇은웨이퍼가공에서높은수율로인해적적수율로인해경제적을제공합니다그리고굉장히좁은스크라이브레인에서도공정이가능하기때문에동일웨이퍼내더많은다이를배치시킬수있으며，다이모양에관계없이다이싱이가능하기때문에있어사용자입장에서최적화된웨이퍼레이아웃이가능합니다。
Sigma.®PVD.
금속금속증착을위한물리기상（PVD）시스템
sptσ®PVD시스템은실리콘또는몰드웨이퍼위에金、铝、钛、TiW、铜와같은금속을증착시키는데사용됩니다。유기보호막과신소재기판등을사용하는언더범프금속(UBM)와재배선층(RDL)과같은첨단패키징에는기술적어려움이있습니다。Sigma.®pvd시스템은가싱제거（degas）및및산화물제거（预清洁）기술을사용함다른물리기상특히2.5d와3D-IC패키징응용분야에서에서spts의의hi-fill®이온화물리기상증착(AHF-PVD)은높은종횡비(AR)의실리콘관통전극(TSV)에서铜屏障/种子에대해세계최고수준의一步覆盖를제공합니다。
Delta™PECVD.
플라즈마플라즈마화학기상（PECVD）시스템
spt三角洲™PECVD시"스템은첨단패키징응용분야의300毫米접합기판과몰드에사용할수있는저온증착공정을제공합니다。三角洲™PECVD는" 110°C와같은낮은증착온도에서검증된고품질의SiO및罪박막을생산합니다。동일한PECVD챔"버안에서罪——SiO층을증착할수있으며생성된박막은높은신뢰수준의전기적인특성과시간에따른안정성을갖고있습니다。단일및적층막의스트레스를넓은범위로조절할수있으며챔버하드웨어의최적화를통해서다른PECVD시"스템에비해웨이퍼내스트레스편차를최소화할수있습니다。필요에따라단일웨이퍼또는멀티웨이퍼의아웃가스제거(德)옵션사용하여,증착된박막의품질을향상시킬수있습니다。또한최적화된SiO,张志贤SiO및첨단유전박막은융합접합(融合成键)응용분야에사용할수있습니다。